ROM错误类型以及解决方案（一）

五、半导体集成电路的defects、Faults

集成电路在仿造全过程中所，但会注意到很多种不同类型的defects,比如栅氧层针孔、扩散材料所致的各种桥接、各种意味著内外的高阻态、寄生电容二极体所致的延误等等,如前面示意图（1）请注意，大概演示了各种大体上的defects。

示意图（1）

这些defects分开、或者人组一齐，所致电容的平庸应为意味著，这就是所致Faults。而且各种Faults的平庸也是不一样的；

永久的Faults,就是全盘的坏品，各种不同的有条件下都但会平庸单单来，易于检验找到。

间或的Faults,时有频发的应为合意味著，不是这样的话找到，能够一定的内外部有条件刺激。

无意中的Faults,只是无意中的，在特定的内外部软件或者工作Mode有条件下才平庸单单来。

可靠度解决办法的Faults,这种一般不但会平庸单单来，只但会在一些排外有条件才但会平庸单单来，比如高低温或者偏压前提下。

为了更有利于检查单单各种faults、避免浪费更多集成电路的资源、节约开销，业内定义了很多种Faults Model,并备有了各种检验方法论。

Stuck At Faults 材料仿造全过程中所所致的软件defects，使得某个链表Stuck At 0或者Stuck At 1, 如前面示意图（2）请注意的一个或非小门：转换链表x1频发了Stuck At 0的defect; x1和x2转换了00时候，Q1和Q2连在一起，Q3和Q4导通， z输单单为H，正确；x1和x2转换了01时候，Q1和Q3连在一起，Q2和Q4导通， z输单单为L，正确；x1和x2转换了10时候，此时x1被Stuck At 0了，等同于转换00，结果还是Q1和Q2连在一起，Q3和Q4导通，z输单单为H，有误；自此，通过转换00，01，10就找到了这个defect。这种左至右转换00，01，10，而比起z输单单的结果与意味著的值来进行辨别的方法，就是所谓的Function检验。 示意图（2）

那对于一个电容，能够分解多少pattern，能大幅提高多少的检验利用率呢？前面示意图（3）就以一个与小门为例，说一下生产商检验线性及计算出来检验利用率的大体上思路。

示意图（3）

如前面示意德勒，一个与小门，有三个链表a、b、c, 每个链表都有两种fault的前提(Stuck At 0或者1)，那么一共就有6种stuck-at faults前提：a0,a1,b0,b1,c0,c1.

那么如前面示意图中所列于的，能够转换（1，0），（0，1），（1，1）可以完全检验单单所有的6种或许的Stuck-at Faults的前提，检验利用率为：可以找到的faults/所有或许的Faults，前面的转换的检验利用率为100%。

Stuck Open(off)/Short(on) Faults 仿造全过程种所致的二极体的defects，使得某个二极体常开或者常闭了,如前面示意图（4）请注意的时一个二极体频发了Stuck Open(off)的有误了。 示意图（4）

如上示意图，这种Stuck open可以用两组Stuck At的线性来进行检验，AB转换从10叠加到00，可以检查单单这种Stuck Open的fault，意味著大其余部分的Stuck Open/Short的faults都是可以通过Stuck At model的检验线性覆盖的。

这种通过线性（function）的形式来检验Stuck Open/short，或许能够非常多的检验示意图形，能够的检验短时间和成本都很多。还有一种测算电流的形式，也可以有效地的检验一些这种Stuck open/short的faults，但是但会节约很多检验短时间和检验成本。

如前面示意图（5）上半其余部分请注意，左面的那个P沟道MOS管频发了Stuck short(on)的faults，示意图的下半其余部分演示了转换AB的四种不同的前提，当AB转换为00时，看起来这个二极体平庸的正常；但是当AB转换为11时，地和元件间存在一个直接导通的电容，输单单端Z的稳定状态是异常的。

示意图（5）

此时VDD上的漏电比起大，也可以通过测算VDD前面的电流来辨别正误，即IDDQ的检验方法，后面但会详细的介绍这种方法。

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